英特尔近日在2024年IEEE国际电子器件会议（IEDM 2024）上发布了一系列引人注目的技术突破，涵盖芯片互连、先进封装和AI能效提升等多个领域。

在材料创新方面，英特尔展示了其最新的减成法钌互连技术。这项技术有望将线间电容降低多达25%，从而显著改善芯片内部的信号传输效率。

英特尔代工服务部门还率先推出了一种面向先进封装的异构集成解决方案。该方案可将芯片间封装的吞吐量提升高达100倍，实现超高速的芯片互联。

此外，英特尔还展示了基于硅的RibbonFET CMOS技术，以及应用于2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层模块，旨在进一步提升器件性能和微缩能力。

在功率器件领域，英特尔继续推进300毫米GaN（氮化镓）技术的研发，并成功制造出业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSFET。这项技术通过减少信号损耗、提高信号线性度以及采用基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更出色的性能表现。

展望未来十年AI的发展，英特尔代工服务部门认为以下三个关键创新方向将有助于提升AI的能效：

1. 先进内存集成：通过先进的内存集成技术消除容量、带宽和延迟瓶颈，从而提升AI处理效率。

2. 混合键合：采用混合键合技术优化互连带宽，以满足AI对高速数据传输的需求。

3. 模块化系统及相应的连接解决方案：模块化系统设计和高效的连接方案将进一步提升AI系统的灵活性和扩展性。

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